光電子薄膜分為：導電薄膜(金屬導電膜、透明導電ITO薄膜)；光電導薄膜(CdS與CdSe薄膜、α-Si:H薄膜)；電致發(fā)光薄膜(ZnS:Mn薄膜、有機電致發(fā)光薄膜)；電致變色薄膜(WO3薄膜)；液晶薄膜。

　　導電薄膜在光電子薄膜器件以及集成電路中的應用十分廣泛，它是主要的電極薄膜、導線薄膜。一般對電極薄膜的要求是：

1、導電性好，方電阻??；2、與基片或前層薄膜的附著力好；

2、與基片或前層薄膜的附著力好；

3、接觸電阻??；

4、容易進行微細加工；

5、具有良好的焊接性能；

6、穩(wěn)定性好.

金屬導電薄膜：

特點：良好的導電性能，反射率高

材料：金、鋁、銀

金：蕞理想的導電特性，可見區(qū)吸收大，遠紅外高反射，基板的附著性較差；銀：可見區(qū)具有很高的反射率，導電性好，與基板的附著力較差：

鋁：可見區(qū)有較高的反射率，導電性良好，與基板的附著性較好.

透明導電薄膜(ITO)：

透明導電薄膜因同時具有可見光譜范圍內(nèi)透明和良好的導電性而廣泛地應用于各個領域：窗口的透明隔熱薄膜、透明電極等.

近年來各種氧化物半導體薄膜受到重視，其中蕞具有代表性的是In2O3·SnO2薄膜，簡稱ITO薄膜(Indium tin oxide)。

In2O3和SnO2屬于氧化物半導體，具有類似于半導體的性質，在In2O3中摻入少量的SnO2，可使電導性能得到改善。

ITO薄膜的特性：

1、ITO薄膜中的SnO2含量一般為8-9%;

2、ITO薄膜的電阻率隨膜厚增加而減小；

3、In2o3的禁帶為4eV,吸收邊在310m附近，摻雜后吸收邊長移，般但紫外區(qū)；4、透明區(qū)，光子的能量不足以使價電子子激發(fā)，雜質、載流子吸收和散射損耗；5、ITO薄膜的制備：濺射法、CVD法、反應蒸發(fā)法：

電子束：200℃-300℃、2-3nm/min、充氧1.3*10-Pa、100-200nm6、影響電阻率和透射率：基板溫度、蒸發(fā)速率、膜厚、老化。